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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件包含：一基底；多个导电层，位在该基底上；一碳硬遮罩层，位在所述导电层上；一隔离层，包括一下部以及一上部；以及一导电通孔，沿着该隔离层的该上部与该碳硬遮罩层设置，并位在一相邻对的导电层的其中一...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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