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形成集成电路结构的方法包括形成晶体管的源极/漏极区，在源极/漏极区上方形成第一层间电介质，以及在源极/漏极区上方形成下部源极/漏极接触插塞，并且下部源极/漏极接触插塞电耦合至源极/漏极区。下部源极/漏极接触插塞延伸至第一层间电介质中。方法还...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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