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根据本发明的方面，在制造半导体器件的方法中，形成第一半导体层和第二半导体层交替堆叠的鳍结构。在鳍结构上方形成牺牲栅极结构。在牺牲栅极结构上方形成第一覆盖层并且在第一覆盖层上方形成第二覆盖层。形成源极/漏极外延层。在形成源极/漏极外延层之后，...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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