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示例性沉积方法可以包括以下步骤：以第一电压将半导体基板静电地卡紧在半导体处理腔室的处理区域内。所述方法可以包括以下步骤：执行沉积工艺。所述沉积工艺可以包括以下步骤：在半导体处理腔室的处理区域内形成等离子体。所述方法可以包括以下步骤：停止在半...
该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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