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本发明提供了一种半导体器件及其形成方法。本发明基底的基准方向平行于第一晶向或第二晶向，图形化的掩模层沿第一晶向分布；对于notch不同晶向的基底，通过图形化的掩模层匹配设计，利用所述图形化的掩模层作为掩模对所述基底的表面进行湿法刻蚀工艺相结...
该专利属于武汉新芯集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过武汉新芯集成电路制造有限公司授权不得商用。

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