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本文公开了一种用于形成金属氧化物半导体FET(MOSFET)器件的方法和设备。所述形成方法包括利用沉积在n沟道金属氧化物半导体(NMOS)器件和p沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件上的硅
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该专利属于应用材料公司所有，仅供学习研究参考，未经过应用材料公司授权不得商用。

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