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半导体装置制造方法及图纸
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文档序号:33341574
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一种半导体装置包括:标准单元,其位于与衬底的上表面平行的第一方向和与第一方向相交的第二方向上;和填充物单元,其位于标准单元中的标准单元之间。标准单元中的每一个包括有源区、与有源区相交的栅极结构、在有源区上位于栅极结构的两侧的源极/漏极区、以...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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