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本公开提供一种蚀刻方法和等离子体处理装置，抑制形成于含硅膜的凹部的形状异常，并且使凹部的底部的蚀刻进展。公开的蚀刻方法包括准备具有含硅膜的基板的工序(a)，所述含硅膜包括氧化硅膜。将基板载置在设置于腔室内的基板支承器上。蚀刻方法还包括向腔室...
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