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具有挡板结构的半导体器件制造技术
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下载具有挡板结构的半导体器件的技术资料
文档序号:33340200
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一种半导体器件包括:衬底上的存储器堆叠,所述存储器堆叠包括栅电极、绝缘层和模制层,所述模制层在贯通电极区域中被设置在与所述栅电极相同的水平高度处;沟道结构,在单元阵列区域中竖直地延伸穿过所述栅电极;以及挡板结构,在顶视图中被设置在隔离绝缘层...
该专利属于三星电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过三星电子株式会社授权不得商用。
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