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本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构及其制造方法，方法包括：提供基底；在基底内形成多条沿第一方向延伸的第一沟槽，第一沟槽将基底形成间隔排布的半导体层，并在第一沟槽内填充第一隔离层；在半导体层和第一隔离层内形成多条沿第二方向延伸的第...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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