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本发明提供一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法，所述制备方法包括：对单晶硅靶材焊接面依次进行打磨处理以及PVD镀膜处理，得到预处理单晶硅靶材；对钼背板焊接面进行打磨处理，得到预处理钼背板；使用焊料对所述预处理单晶硅靶材的焊接面以及所述预处理钼...
该专利属于宁波江丰电子材料股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波江丰电子材料股份有限公司授权不得商用。

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