一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法技术

本发明专利技术提供一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法，所述制备方法包括：对单晶硅靶材焊接面依次进行打磨处理以及PVD镀膜处理，得到预处理单晶硅靶材；对钼背板焊接面进行打磨处理，得到预处理钼背板；使用焊料对所述预处理单晶硅靶材的焊接面以及所述预处理钼背板的焊接面分别独立地进行浸润处理；将所述预处理单晶硅靶材以及所述预处理钼背板进行组装，在加压条件下冷却后得到所述钼背板基底的单晶硅靶材。所述制备方法可有效提高焊接层厚度，进而提高焊接结合率以及成品率。进而提高焊接结合率以及成品率。

【技术实现步骤摘要】
一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法


[0001]本专利技术属于靶材制造领域，涉及一种单晶硅靶材制备方法，尤其涉及一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法。

技术介绍

[0002]单晶硅靶材进行钎焊时由于材料浸润性相对较低，直接进行钎焊难以在表面扩散形成铟层，焊接后靶材焊接层厚度很薄，甚至流失殆尽，导致靶材抗拉强度低，缺陷多，容易产生脱焊风险。钼金属作为单晶硅靶材用背板，亦存在浸润性不佳，难浸润等问题，在焊接后容易出现与单晶硅靶脱焊风险。
[0003]CN107620048A提供了一种硅靶材结构及其制造方法以及硅靶材组件的制造方法，所述制造方法包括，提供硅靶材，所述硅靶材具有焊接面；采用化学镀工艺，在所述硅靶材焊接面上形成铜镀层。化学镀液的温度为60℃～65℃，温度波动范围在
±
2℃内，pH值为12～12.5，pH值波动范围在
±
0.2内；对化学镀液进行搅拌处理，且搅拌时长为2min～3min；化学镀液的装载量为0.5dm2/L～1.5dm2/L，铜的质量百分比大于或等于80％，铜镀层的厚度为5μm～12μm本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种钼背板基底的单晶硅靶材制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：对单晶硅靶材焊接面依次进行打磨处理以及PVD镀膜处理，得到预处理单晶硅靶材；对钼背板焊接面进行打磨处理，得到预处理钼背板；使用焊料对所述预处理单晶硅靶材的焊接面以及所述预处理钼背板的焊接面分别独立地进行浸润处理；将所述预处理单晶硅靶材以及所述预处理钼背板进行组装，在加压条件下冷却后得到所述钼背板基底的单晶硅靶材。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述单晶硅靶材焊接面进行打磨处理的方法为使用至少两种型号的砂纸进行打磨处理；优选地，所述砂纸的型号包括240#、400#、600#或800#中的任意一种或至少两种的组合，进一步优选为依次使用240#、400#、600#以及800#砂纸进行打磨处理。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述PVD镀膜处理为PVD镀镍膜；优选地，所述镍膜而对厚度为3～5μm。4.根据权利要求1
‑
3任一项所述的制备方法，其特征在于，对所述钼背板焊接面进行打磨处理方法为使用至少两种型号的砂纸进行打磨处理；优选地，所述砂纸的型号包括240#、400#、600#或800#中的任意一种或至少两种的组合，进一步优选为依次使用240#、400#、600#以及800#砂纸进行打磨处理。5.根据权利要求1
‑
4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述预处理单晶硅靶材的浸润处理在加热以及超声条件下进行；优选地，所述加热的温度为200～250℃；优选地，所述加热的升温速率为3～6℃/min；优选地，所述超声的时间为30～60min。6.根据权利要求1
‑
5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述预处理钼背板的浸润处理依次在第一钢刷、第一超声、第二钢刷以及第二超声的条件下进行。7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一钢刷的时间为10～30mi...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，边逸军，王学泽，周鹏飞，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：