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本发明涉及n型半导体纳米材料制备技术领域，尤其是涉及超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用。本发明采用价格低廉的四氯化锡作为锡源，以L
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该专利属于上海工程技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海工程技术大学授权不得商用。

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