超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用制造技术

本发明专利技术涉及n型半导体纳米材料制备技术领域，尤其是涉及超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用。本发明专利技术采用价格低廉的四氯化锡作为锡源，以L

【技术实现步骤摘要】
超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用


[0001]本专利技术涉及n型半导体纳米材料制备
，尤其是涉及超薄SnS2纳米片、SnS2薄膜及其制备与应用。

技术介绍

[0002]SnS2由地球中储量丰富且无毒的锡和氧元素组成，是一种环境友好的CdI2型晶体结构的n型窄带隙半导体材料，禁带宽度为2.21
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2.25eV，具有良好的载流子迁移率、光学透明和机械等性能，被广泛应用于、光催化、二极管和太阳能电池等领域。然而，目前存在的问题是：(1)采用磁控溅射或气相沉积等物理方法制备SnS2纳米材料对设备要求较高，成本高昂；(2)常规方法难以获得小尺寸、比表面积大的SnS2材料，且分散性较差，限制了其溶液加工应用。因此，采用溶液方法制备尺寸可控的超细SnS2胶体纳米片具有重要意义。
[0003]Huang等人(Yuan Huang,et al.ACS Nano.2014,8,10,10743
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10755)通过垂直Bridgman法生长层状SnS2的高质量块体晶体，再将层状块状晶体剥落成较薄的薄片，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超薄SnS2纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将浓盐酸加入四氯化锡水溶液中，然后与硫源混匀，得到第一混合溶液；(2)将步骤(1)得到的第一混合溶液转移至反应釜进行水热反应，反应结束后得到湿沉淀；(3)对步骤(2)得到的湿沉淀通过去离子水和乙醇洗涤后离心，得到超薄SnS2纳米片。2.根据权利要求1所述的一种超薄SnS2纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述四氯化锡选自无水四氯化锡或五水四氯化锡；所述硫源选自L
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谷胱甘肽、CH4N2S、(NH4)2S或CH3CSNH2中的一种；优选地，硫源选自L
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谷胱甘肽。3.根据权利要求1所述的一种超薄SnS2纳米片的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，四氯化锡水溶液的浓度为0.05
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0.2mol/L；优选地，四氯化锡水溶液的浓度为0.05mol/L；四氯化锡水溶液、浓盐酸的体积比为30
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120：1；优选地，四氯化锡水溶液、浓盐酸的体积比为60：1；四氯化锡与硫源的摩尔比为1：2
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4；优选地，四氯化锡与硫源的摩尔比为1：3。4.根据权利要求1所述的一种超薄SnS2...

【专利技术属性】
技术研发人员：芮一川，徐雨田，金作明，王晓洁，
申请(专利权)人：上海工程技术大学，
类型：发明
国别省市：