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采用包含周期表第１２（２Ｂ）族元素和第１６（６Ｂ）族元素的化合物半导体晶体基片、在使用位错密度或淀积物密度较低的基片的同时，通过让使第一导电型的上述基片成为第二导电型基片的元素从基片表面热扩散而形成ｐｎ结，在上述基片的前表面和背面形成电极，...
该专利属于株式会社日矿材料所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社日矿材料授权不得商用。

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