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一种８００ｎｍ布拉格反射镜式半导体可饱和吸收镜，包括：一衬底；一缓冲层，该缓冲层制作在衬底上；一布拉格反射镜，该布拉格反射镜制作在缓冲层上，形成一高反射率的反射镜；一量子阱，该量子阱制作在布拉格反射镜上，形成第一吸收区；该第一吸收区采用界于...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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