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本公开提供一种半导体元件及其制备方法。该半导体元件具有一基底、一电容接触点结构以及一着陆垫层。该电容接触点结构从该基底突伸。该着陆垫层覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。一上部。一上部。
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该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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