【技术实现步骤摘要】
半导体元件及其制备方法
[0001]本专利技术主张2020年10月15日申请的美国正式申请案第17/071,444号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本专利技术中。
[0002]本公开涉及一种半导体元件及其制备方法。尤其涉及一种具有一突出接触点的半导体元件及其制备方法。
技术介绍
[0003]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数字相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0004]上文的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本专利技术的任一部分。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提出一种半导体元件及其制备方法，以解决上述至少一个问题。<...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一基底；一电容接触点结构，从该基底突伸；以及一着陆垫层，覆盖该电容接触点结构的一上表面的一部分以及该电容接触点结构的一侧壁的一上部。2.如权利要求1所述的半导体元件，还包括一位元线结构，位于该基底上以及位于该电容接触点结构旁边，其中该位元线结构的一上表面位于一垂直位面处，该垂直位面低于该电容接触点结构的该上表面的一垂直位面。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一位元线间隙子，位于该电容接触点结构与该位元线结构之间，其中该位元线间隙子的一上表面与该位元线结构的该上表面为共面。4.如权利要求3所述的半导体元件，其中该位元线结构包括一位元线下导电层、一位元线中间导电层、一位元线上导电层以及一位元线罩盖层，该位元线下导电层位于该基底上，该位元线中间导电层位于该位元线下导电层上，该位元线上导电层位于该位元线中间导电层上，该位元线罩盖层位于该位元线上导电层上。5.如权利要求4所述的半导体元件，其中该电容接触点结构包括一电容接触点下导电层、一电容接触点中间导电层以及一电容接触点上导电层，该电容接触点下导电层从该基底突伸，该电容接触点中间导电层位于该电容接触点下导电层上，该电容接触点上导电层位于该电容接触点中间导电层上，而该着陆垫层覆盖该电容接触点上导电层的一上表面的一部分以及该电容接触点上导电层的一侧壁的一上部。6.如权利要求5所述的半导体元件，其中该电容接触点下导电层包含多晶硅、多晶锗或是多晶硅锗，该电容接触点中间导电层包含硅化钴、硅化镍、硅化镍铂或硅化钽，以及该电容接触点上导电层包含氮化钛或氮化钽。7.如权利要求6所述的半导体元件，其中该电容接触点结构的一下表面位于一垂直位面处，该垂直位面低于该位元线间隙子的一下表面的一垂直位面。8.如权利要求6所述的半导体元件，还包括一位元线接触点，位于该位元线下导电层之下。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该位元线间隙子的一下表面与该位元线接触点的一下表面为共面。10.如权利要求9所述的半导体元件，还包括多个源极/漏极区，位于该位元线接触点与该电容接触点结构之下。11.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一隔离结构，位于该位元线结构与该电容接触点结构之间，该隔离结构包括一第一隔离层以及一第二隔离层，其中该第一隔离层包括一下部以及二侧部，该下部水平设置在基底上，该二侧部垂直连接到该下部的两端，而该第二隔离层位于...
【专利技术属性】
技术研发人员：施江林，陈志宏，章思尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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