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本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件包括：多个有源层，在垂直于衬底的第一方向上堆叠并且在与第一方向相交的第二方向上横向取向；多个位线，每个位线耦接到每个有源层的一侧并且在与第一方向和第二方向相交的方向上横向取向；多个电容器，每个...
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