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本公开提供了一种半导体器件，包括：存储单元阵列，其包括在基体衬底上竖直层叠的多个存储单元，其中，每个存储单元包括：位线，其相对于基体衬底竖直地取向；电容器，其与位线横向地间隔开；有源层，其在位线与电容器之间横向地取向；字线，其位于有源层的上...
该专利属于爱思开海力士有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱思开海力士有限公司授权不得商用。

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