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本发明实施例提供一种存储器及其制作方法，存储器包括：基底、位于所述基底内的有源区以及位于所述基底上的位线结构，所述有源区沿第一方向延伸；电容接触窗，所述电容接触窗位于相邻所述位线结构之间，所述电容接触窗的底面的至少一中心线沿第二方向延伸，所...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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