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本公开提供一种半导体器件及其形成方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括衬底、栅极结构及自对准接触结构，其中：衬底包括源极和漏极；栅极结构形成于衬底上，且位于源极和漏极之间；自对准接触结构形成于衬底上，并在垂直于衬底的方向上包括依次连接的...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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