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本申请提供了一种半导体器件、具有其的三维存储器及存储系统。该半导体器件包括：半导体衬底；多个晶体管结构，沿第一方向间隔设置于半导体衬底的一侧，各晶体管结构包括栅极、栅介质层和源/漏区，栅介质层和栅极层叠设置于半导体衬底表面，源/漏区位于栅极...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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