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本公开提供了一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括，提供初始结构，初始结构包括叠层结构，叠层结构包括交替叠置的初始栅间介质层和第一牺牲层，初始栅间介质层包括第一栅介质层、第二牺牲层以及第二栅介质层；在叠层结构中形成沟道槽，沟道槽...
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