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提供氮化物半导体基板的制造方法和基板，能够不从集结位错的部分再次释放位错，位错终结部以外的部分为低位错密度，扩展低位错的部分的面积。在衬底基板上附加覆盖部（γ）形成闭合曲线的掩模，使氮化物半导体气相生长，在露出部（∏）上形成被小面围住的凸型...
该专利属于住友电气工业株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社授权不得商用。

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