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一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤１：选择一衬底；步骤２：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤３：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿２～５分钟；步骤４：然后进行砷...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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