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本申请提供一种三维存储器件的制造方法，包括：在第一衬底上依次形成停止层和第一半导体层；在第一半导体层上形成堆叠层；形成贯穿堆叠层、第一半导体层及停止层，并伸入部分第一衬底的沟道孔；在沟道孔中形成沟道结构，包括依次层叠的功能层、沟道层、填充部...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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