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在该氮化物半导体基板的加工方法中，首先，准备圆盘状的氮化物半导体基板（２０），其具备多个条纹区域（１２），该多个条纹区域（１２）由晶体缺陷密度高于周围的单晶体区域（１４）的缺陷集中区域构成。接着，以条纹区域（１２）延伸的方向（ＳＴ）为基准，...
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