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本发明涉及一种P沟道型逻辑存储单元及非易失性存储器，属于存储器技术领域，解决现有闪存单元面临着工艺度复杂高、逻辑工艺兼容性差以及擦写功耗高的问题。该存储单元包括：两个PMOS晶体管，其中，每个PMOS晶体管包括：N阱，设置在半导体衬底上方并...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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