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本申请提供了一种存储器及其编程操作方法、外围电路、及存储系统。所述存储器沿预设方向依序包括串联连接的阵列共源极、底部层级、中部层级、顶部层级以及位线，所述存储器的编程操作方法包括：进行编程操作的预充电，包括：向所述阵列共源极和所述位线提供第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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