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提供一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器（１）中容纳至少含有Ⅲ族金属元素和碱金属元素的合金（１１）；向所述反应器（１）中导入含氮物质（１４）；在其中所述合金（１１）熔融的合金熔融液（１３）中溶解含氮物质（１４）；和生长...该专利属于住友电气工业株式会社;森勇介所有，仅供学习研究参考，未经过住友电气工业株式会社;森勇介授权不得商用。
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提供一种制造Ⅲ族氮化物半导体晶体的方法，包括下列步骤：在反应器（１）中容纳至少含有Ⅲ族金属元素和碱金属元素的合金（１１）；向所述反应器（１）中导入含氮物质（１４）；在其中所述合金（１１）熔融的合金熔融液（１３）中溶解含氮物质（１４）；和生长...