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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、三维存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在降低工艺难度。半导体结构的制备方法包括：在衬底的第一侧形成叠层结构；形成沟道孔；在沟道孔内形成第一沟道结构，第一沟道结构包括：存储功能层和第...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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