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一种制做氮化镓基激光器倒装用热沉的方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：步骤１：取一衬底；步骤２：在衬底上蒸镀一层绝缘介质膜；步骤３：用光刻和腐蚀的方法将部分绝缘介质膜去掉，以用于制作激光器倒装的Ｐ型焊接电极；步骤４：在保留有绝缘介质膜的区...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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