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本发明的课题在于改善使用了适于EUV光刻的抗蚀剂材料的基板的曝光时的灵敏度。在基板处理方法中，在处理容器内，对形成有基于EUV光刻用抗蚀剂材料的抗蚀剂膜的基板的表面，在曝光处理前照射包含真空紫外光的光。光处理前照射包含真空紫外光的光。光处理...
该专利属于东京毅力科创株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东京毅力科创株式会社授权不得商用。

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