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本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：堆叠体，其包括交替堆叠的导电图案和绝缘图案；填充层，其被配置为穿过所述堆叠体；第一沟道层，其被配置为穿过所述堆叠体且联接到所述填充层；第二沟道层，其被配置为穿过所述堆叠体且联接到所述...
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