温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请涉及半导体材料的加工技术领域，具体公开了一种干法清洗锗晶片的方法，所述方法包括如下步骤：(1)向真空混合腔中分别通入氮气等离子体和氦气等离子体，得到混合等离子体；其中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入...
该专利属于北京通美晶体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京通美晶体技术股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。