一种干法清洗锗晶片的方法技术

本申请涉及半导体材料的加工技术领域，具体公开了一种干法清洗锗晶片的方法，所述方法包括如下步骤：(1)向真空混合腔中分别通入氮气等离子体和氦气等离子体，得到混合等离子体；其中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积的比值为1:(0.1～0.2)；(2)将锗晶片置于真空清洗腔中并升温至280～320℃；之后，向所述真空清洗腔中通入所述混合等离子体，所述混合等离子体对所述锗晶片进行清洗并使所述锗晶片表面钝化；(3)降温至20～30℃。本申请能够有效去除锗晶片表面的污染，并使锗晶片表面得到钝化。并使锗晶片表面得到钝化。

【技术实现步骤摘要】
mL/min，所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入速率为3.0～10 mL/min。优选的，步骤(1)中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入速率为40 mL/min，所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入速率为6.0 mL/min。
[0009]可选的，步骤(1)中，所述氮气等离子体是通过微波激发高纯氮气获得的。
[0010]可选的，步骤(1)中，所述氦气等离子体是通过微波激发高纯氦气获得的。
[0011]可选的，步骤(2)中，所述真空清洗腔的真空度为(2～2.5)
×
10
‑3Pa。
[0012]可选的，步骤(2)中，所述混合等离子体通入所述真空清洗腔的通入速率为70～80mL/min。
[0013]可选的，步骤(2)中，所述混合等离子体通入所述真空清洗腔的通入时间为13～17s。优选的，步骤(2)中，所述混合等离子体通入所述真空清洗腔的通入时间为15s。
[0014]可选的，步骤(3)中，所述降温的程序依次包括第一恒温阶段、第一降温阶段、第二恒温阶段和第二降温阶段；其中，所述第一恒温阶段是在280本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种干法清洗锗晶片的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：(1)向真空混合腔中分别通入氮气等离子体和氦气等离子体，得到混合等离子体；其中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积的比值为1:(0.1～0.2)；(2)将锗晶片置于真空清洗腔中并升温至280～320℃；之后，向真空清洗腔中通入所述混合等离子体，所述混合等离子体对所述锗晶片进行清洗并使所述锗晶片表面钝化；所述混合等离子体通入所述真空清洗腔的通入速率为60～100mL/min、通入时间为10～20s；(3)降温至20～30℃。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述真空混合腔的真空度为(2～2.5)
×
10
‑3Pa。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氮气等离子体通入真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入真空混合腔的通入体积的比值为1:(0.14～0.16)。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积和所述氦气等离子体通入所述真空混合腔的通入体积的比值为1:0.15。5.根据权利要求1至4中任意一项所述的方法，其特征在于，步骤(1)中，所述氮气等离子体通入所述真空混合腔的...

【专利技术属性】
技术研发人员：史铎鹏，任殿胜，
申请(专利权)人：北京通美晶体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：