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本申请涉及一种半导体器件的制备方法及半导体器件。该半导体器件的制备方法包括：在衬底表面形成外延层，在外延层背离衬底的一侧形成第一氧化层；在外延层内形成掺杂区；在高温炉内进行预扩散，预扩散温度为950℃
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该专利属于北海惠科半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北海惠科半导体科技有限公司授权不得商用。

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