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本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种套刻标记及其形成方法。所述套刻标记包括：第一组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个第一标记、以及位于所述第一标记上方且呈周期性排布的多个第二标记；第二组衍射套刻标记，包括呈周期性排布的多个所述第二标...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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