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本实用新型实施例提供了一种功率半导体器件及芯片。该功率半导体器件包括：半导体基板；多个间隔设置的场限环，其中最内侧的场限环定义出元件区；每个场限环包括形成于半导体基板上表面的沟槽，以及自沟槽侧部和底部向半导体基板内延伸的掺杂区，且相邻场限环...
该专利属于北京燕东微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京燕东微电子科技有限公司授权不得商用。

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