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本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、存储器及存储系统，先在衬底上形成包括交替层叠设置的层间牺牲层和层间绝缘层的堆叠层，再形成贯穿所述堆叠层的多排第一沟道孔。然后通过所述第一沟道孔刻蚀所述层间牺牲层，以形成位于所述第一沟道孔周围的第一空腔...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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