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本申请实施例提供了一种三维存储器及其制备方法。制备三维存储器的方法包括：在衬底上形成具有栅极层的台阶结构，并在所述台阶结构上形成台阶介质层，其中，所述台阶结构包括相互隔离的至少两个子台阶结构；形成分别贯穿所述台阶介质层并延伸至每个所述子台阶...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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