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本公开提供了一种半导体结构及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备，涉及半导体芯片技术领域，以降低存储单元之间的相互干扰，提高器件性能。半导体结构包括堆叠层、沟道结构和多个第二介质层。堆叠层包括交替叠置的多个第一介质层和多个栅极层。沟道结构...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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