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本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底，于所述衬底的上表面形成第一图形化掩膜层，基于所述第一图形化掩膜层刻蚀所述衬底，以于所述衬底内形成浅沟槽；于所述浅沟槽的侧壁及底部形成衬垫层；于所述衬底内形成环绕所述浅沟槽四周的...
该专利属于无锡华润上华科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡华润上华科技有限公司授权不得商用。

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