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本发明的各个实施例涉及半导体器件及其制造方法。在包括在半导体器件中混在一起的分离栅极型MONOS存储器以及具有部分地嵌入在形成在半导体衬底的主表面中的沟槽中的上电极的沟槽电容器元件的半导体器件中，嵌入在沟槽中的上电极的顶表面的平整度得到改进...
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