温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种存储器的制造方法和存储器，存储器的制造方法包括：提供基底以及位线接触层；在位线接触层的顶部形成伪位线结构；在伪位线结构的侧壁及位线接触层的侧壁形成间隔层；在间隔层的侧壁形成介质层；形成填充相邻伪位线结构之间的区域的牺牲层...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。