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本发明实施例提供了一种腔室泄露检测方法和半导体工艺设备，应用于半导体技术领域，该方法包括：通过光谱发射仪获取反应腔室中气体的光谱信息，从光谱信息中获取第一波长范围内的第一光强度值和第二波长范围内的第二光强度值，在第一光强度值与第二光强度值的...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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