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实施方式在抑制制造成本增加的同时提高了半导体存储装置的特性。实施方式的半导体存储装置具备：衬底；焊垫，设置在衬底的上方；多个第1导电体层，在衬底与焊垫之间沿着第1方向积层；第2导电体层，设置在多个第1导电体层的上方；第1半导体层，在多个第1...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

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