温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串的选择栅极线发挥功能，位于所述多层第1导电层的下层侧...
该专利属于铠侠股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过铠侠股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。