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本发明公开一种具有抗单粒子烧毁能力的功率器件，包括衬底，在所述衬底下方设置有漏极，所述衬底上方设置有硅外延层，所述硅外延层上方设置有Si1‑
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该专利属于大连海事大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连海事大学授权不得商用。

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